Интервью с Михаилом Александровичем Королёвым

— Вы же в 60-х работали в Москве, в Институте точной механики и вычислительной техники. Как вы оказались в Зеленограде?

— Когда я работал в ИТМ и ВТ АН СССР, меня часто посылали в Зеленоград на всевозможные научные предприятия. И в это же время я сотрудничал с отделом науки газеты «Московская правда», где однажды завотделом предложил мне написать статью о новом вузе — Московском институте электронной техники. И тогда я не стал откладывать это в долгий ящик и поехал на встречу с первым ректором Леонидом Николаевичем Преснухиным.

— Как вас встретил новый вуз?

— Прекрасно. Стояла осень, но погода была очень хорошая и мы с Леонидом Николаевичем разговаривали, сидя на скамейке перед временным зданием вуза. Ректор рассказывал мне о системе подготовки студентов: на младших курсах будут даваться глубокие знания по фундаментальным наукам, а на старших ребята будут обучаться на базовых кафедрах, расположенных на предприятиях отрасли. То есть тогда МИЭТ ориентировался на ведущих разработчиков интегральных микросхем: НИИ молекулярной электроники, НИИ физических проблем и НИИ точной технологии, НИИ материаловедения и так далее. Леонид Николаевич показал мне проекты будущего здания МИЭТа. Я был впечатлён и архитектурными решениями, и техническими возможностями.

— А когда вы стали сотрудником МИЭТа?

— Меня пригласил заведующий и основатель кафедры интегральных полупроводниковых схем (ИПС) МИЭТ Камиль Ахметович Валиев. Это было в сентябре 1971 года. Но, правда, до этого мы были знакомы с ним достаточно давно, так как, кроме этой должности, Камиль Ахметович являлся директором крупного предприятия — НИИМЭ, а ИТМ и ВТ с ним плотно сотрудничал. Из НИИМЭ, кстати, в МИЭТе проводили учебные занятия и такие известные инженеры-практики, как А.П. Голубев, Б.А. Безбородников, Б.В. Баталов, Ю.И. Пашинцев. Камиль Ахметович часто вспоминал, что в условиях напряженной работы в НИИМЭ кафедра ИПС была для него «душевным оазисом».

— А какими научными работами руководили вы?

— Одной из первых научных задач, которую мне пришлось решать, была разработка метода управления величиной порогового напряжения МОП-транзистора, 1973-й год. В результате проведённых исследований нами было предложено оригинальное решение: наносить на слой оксида кремния плёнку оксида железа, что сместит зарядовое состояние системы в сторону отрицательных значений. Большой цикл работ был посвящён новому и очень перспективному направлению в микроэлектронике — трёхмерным интегральным схемам на основе структур КНИ (кремний-на-изоляторе). Был также разработан оригинальный способ формирования КНИ- структур с использованием лазерной рекристаллизации плёнок поликремния, нанесённых на окисленную кремниевую подложку. Оборудования для осуществления этого процесса не было даже в мировой практике. Пришлось создать технологический стенд для лазерной рекристаллизации плёнок поликремния, скомбинировав подвижный стол от фотолитографической установки совмещения и твердотельный лазер на основе алюмо-иттриевого граната. Для увеличения степени поглощения энергии излучения лазера структурами был предложен оригинальный метод лазерной рекристаллизации поликремния – косвенный лазерный нагрев (КЛН). Структуры и процесс защищены авторскими сиятельствами, КНИ- структуры были представлены на специализированной выставке на ВДНХ и получили серебряную медаль.

— Каким вы видите современный МИЭТ?

— Я отвечу очень просто: для меня МИЭТ остался лучшим вузом страны. А что касается интересных историй последних лет… Большое видится на расстоянии. Давайте встретимся с вами лет через пять-десять, и к этому времени я, даст Бог, соберу еще больше интересных историй, которые, надеюсь, придутся по вкусу вашим читателям.